TAJB335M016RNJ_TAJB335M016RNJ导读
有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
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TLJF227M010R0300
06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。
IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。
TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
TAJB335M016RNJ_TAJB335M016RNJ
TAJA336M002RNJ
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
0402220K5%_040222R5%_040225.5K1%_0402270R5%_04022K5%_。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
TAJA105M016RNJ TAJA105M020RNJ TAJA105M025RNJ TAJA105M035RNJ TAJA105M050RNJ TAJA106K004RNJ TAJA106K006RNJ TAJA106K010RNJ TAJA106K016RNJ TAJA106M004RNJ 。
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NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。
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