TAJB335M020RNJ_TAJB335M020RNJ导读
选择MOS管还是IGBT？在电路中，选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管，这是工程师常遇到的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：也可从下图看出两者使用的条件，阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用，“？”表示当前工艺还无法达到的水平。
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TAJC475K050RNJ
。IGBT的结构 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。
MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。 2）、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。关于寄生二极管的作用，有两种解释： 1）、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
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TLJT227M002R1200
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
TAJA155M035RNJ TAJA156K004RNJ TAJA156K006RNJ TAJA156K010RNJ TAJA156K016RNJ TAJA156M004RNJ TAJA156M006RNJ TAJA156M010RNJ TAJA156M016RNJ TAJA224K035RNJ 。
049N03MS 04N50C3 04N60C2 04N80C3 04-OC-TLAS03 。
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导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。
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