TAJC685K016RNJ_TAJC685K016RNJ导读
1)、MOSFET的寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。 MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性,在电路中,可以用作放大器、电子开关等用途。。 2)、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管。
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TAJD227M004RNJ
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。
TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
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TAJE226K035RNJ
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
先讲讲MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点:制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
P沟道的源极S接输入,漏极D导通输出,N沟道相反说白了给箭头方向相反的电流就是导通,方向相同就是截止。
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t0-t1:C GS1 开始充电,栅极电压还没有到达V GS(th),导电沟道没有形成,MOSFET仍处于关闭状态。
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