TAJE106M035RNJ_TAJE106M035RNJ导读
1）、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。 MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。。 2）、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。
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TLJG107M004R0800
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。
但D极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接S极，因此自然在DS之间有二极管。那么寄生二极管起什么作用呢?当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出来，不至于击穿这个MOS管。(起到保护MOS管的作用)。模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。如果在IC里面，N—MOS衬底接最低的电压，P—MOS衬底接最高电压，不一定和S极相连，所以DS之间不一定有寄生二极管。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
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TAJD475M035RNJ
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
MOS集成电路包括: NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。 PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同，只是电源极性相反而已。
那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。 GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。
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MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。
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