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来源: 深圳市百域芯科技有限公司 发布时间:2022-05-09

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TAJC477M004RNJ_TAJC477M004RNJ导读

在图1我们看到D极和S极之间存在着一个二极管,这个二极管叫寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。在网上查了一番资料才知道,它是由生产工艺造成的,大功率MOS管漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。MOS的寄生二极管怎么来的呢?翻开大学里的模拟电路书里面并没有寄生二极管的介绍。



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TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

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那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管关断,低电平使mos管导通。如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V,那么GPIO高电平的时候为1.8V,GS为1.8-2.8=-1V,mos管导通,不能够关断。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。 GPIO为低电平的时候,假如0.1V,那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。

MOS集成电路包括: NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。 PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

先讲讲MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点:制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。

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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。



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