TAJE106K035RNJ

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在图1我们看到D极和S极之间存在着一个二极管，这个二极管叫寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。在网上查了一番资料才知道，它是由生产工艺造成的，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。MOS的寄生二极管怎么来的呢?翻开大学里的模拟电路书里面并没有寄生二极管的介绍。



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TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。



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1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V 如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw 那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反说白了给箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

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至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。



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