TAJC684M050RNJ_TAJC684M050RNJ导读
1）、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。 MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。。 2）、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。
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TLJS106M016R2200
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。
TAJC684M050RNJ_TAJC684M050RNJ
TAJV108K004RNJ
1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V 如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw 那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
TAJC684M050RNJ_TAJC684M050RNJ
NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。
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