STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽车级N通道MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET，提供650V阻断电压。该功率MOSFET符合AQG 324标准， 采用ACEPACK SMIT低电感封装。SH63N65DM6AG功率MOSFET具有极低开关能量、低热阻以及3.4kVrms/min隔离等级。该功率MOSFET具有dice-on直接接合铜 (DBC) 基板，有助于封装提供 低热阻以及隔离式顶部散热焊盘。SH63N65DM6AG MOSFET采用具有高设计灵活性的封装，可通过不同组合的内部电源开关实现多种配置，包括相臂、升压和单开关。该功率MOSFET非常适合用于开关应用。
特性
_符合AQG 324标准
_半桥电源模块
_650V阻断电压
_快速恢复体二极管
_开关能量极低
_低电感封装
_直接结合铜（DBC）衬底上的小块
_低热阻
_隔离额定值为3.4kVrms/最小值
规范
_±25VGS 栅源电压
_漏极电流：170A（脉冲）
_424W耗散功率，在TC= 25°C时
_0.29°C/W热阻（结点至外壳）
_6A雪崩电流
_778mJ单脉冲雪崩能量
_100V/ns峰值二极管恢复电压斜坡
_1000A/µs峰值二极管恢复电流斜坡
_工作温度范围：-55°C至150°C
