ROHM Semiconductor RF6G035BG功率MOSFET具有40V漏源电压（VDSS）和±3.5A连续漏极电流（ID）。该N沟道MOSFET具有46mΩ低导通电阻（RDS(on)）和1W（PD）的功耗。RF6G035BG MOSFET的工作结温和储存温度范围为-55°C至+150°C，采用无卤素小型表面贴装封装（TAMT6或SOT-363T）。这款符合RoHS指令的器件采用无铅电镀。RF6G035BG功率MOSFET适合用于开关、电机驱动器和直流/直流转换器应用。
特性
_低导通电阻
_无铅电镀，符合RoHS指令
_小型表面贴装封装 (TAMT6/SOT-363T)
_不含卤素
规范
_漏极-源极电压（VDSS）：40V
_栅极-源极电压（VGSS）：±20V
_工作结温和储存温度范围：-55°C至+150°C
_RDS(on)：46mΩ（最大值）
_连续漏极电流（ID）：±3.5A
_功率耗散（PD）：1W
应用
_电机驱动器
_开关
_直流/直流转换器
