摘要：RQ3L060BG功率MOSFET具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流
ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流。该N沟道MOSFET具有38mΩ低导通电阻（RDS(on))和14W功耗。RQ3L060BG MOSFET的工作结温和存储温度范围为-55°C至150°C，采用无卤素、大功率小型模具封装 (HSMT8)。这款符合RoHS指令的器件采用无铅电镀。典型应用包括开关、电机驱动器和直流/直流转换器。
特性
_低导通电阻
_大功率小型模具封装 (HSMT8)
_无铅电镀，符合RoHS指令
_无卤素
_100%通过Rg和UIS测试
规范
_漏极-源极电压（VDSS）：60V
_栅极-源极电压（VGSS）：±20V
_工作结温和储存温度范围：-55°C至+150°C
_RDS(on)：38mΩ（最大值）
_连续漏极电流（ID）：±15.5A
_14W耗散功率
应用
_开关
_电机驱动器
_直流/直流转换器
