STMicroelectronics STL120N10F8100V N沟道增强模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。它确保极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。STMicroelectronics STL120N10F8是开关应用的理想选择。
特性
_MSL1等级
_175°C工作温度
_100%经雪崩测试
其他资源
_数据表
_应用说明：功率MOSFET VGS对降压转换器性能的影响
_应用说明：功率MOSFET: Rg对应用的影响
_应用说明：ST的MOSFET技术用于不间断电源
_应用说明：雪崩问题：比较IAR和EAS参数的影响
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