STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
来源：
深圳市华睿芯科技有限公司
发布时间：2024-01-06
摘要：STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET是一款采用终极MDmesh K6技术设计的极高压N沟道功率MOSFET。该技术基于STMicroelectronics在超级结技术领域的20年经验。因此，其具有同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷，适合用于需要出色功率密度和高效率的应用。
特性
_出色的RDS(on) x区域
_出色的FOM（品质因数）
_超低栅极电荷
_100%经雪崩测试
_齐纳保护
应用
_反激式转换器
_用于平板电脑、笔记本电脑和AIO的适配器
_LED照明
