R8019KNXC7G N沟道800V 19A功率MOSFET
来源：
深圳市华睿芯科技有限公司
发布时间：2024-04-12
摘要： R8019KNXC7G N沟道800V 19A功率MOSFET是具有快速开关功能的低导通电阻器件。
ROHM Semiconductor R8019KNXC7G N沟道800V 19A功率MOSFET是具有快速开关功能的低导通电阻器件。此功率MOSFET具有0.265Ω RDS(on)（最大值）、83W耗散功率以及-55°C至150°C的工作温度范围。R8019KNXC7G Nch 800V 19A采用无铅电镀，符合RoHS指令。该功率MOSFET采用并联方式，使用方便，非常适合开关应用。
特性
_低导通电阻
_快速开关
_并行使用简单
_无铅镀层
_符合RoHS标准
规范
_800VDSS 漏源电压
_连续漏极电流：±19A
_0.265Ω RDS(on)（最大值）
_耗散功率：83W
_工作温度范围：-55 °C至150 °C
