Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1200V半桥栅极驱动器与自举二极管集成并控制IGBT或碳化硅 (SiC) MOSFET功率器件。基于SOI技术，这些驱动器在瞬态电压下具有出色的耐用性。EiceDRIVER具有稳健的设计，可在整个工作温度和电压范围内防止寄生闭锁。EiceDRIVER™栅极驱动器IC具有2.3A拉电流和4.6A灌电流能力，并集成了超快速过流保护 (OCP).。其中一些应用包括工业驱动器、用于泵、风扇以及商用和小型商用空调中电机控制的嵌入式逆变器。
特性
_独特的薄膜绝缘体上硅 (SOI) 技术
_用于自举操作的浮动通道
_最大自举电压：1225V（VB节点）
_工作电压：高达1200V（VS节点）
_瞬态电压抗扰度：100V负VS
_重复700ns脉冲
_拉/灌电流峰值输出能力：2.3A/4.6A
_集成超快过电流保护 (OCP)
_±5%的高精度基准阈值
_小于1µs的过电流传感器到输出关断
_集成超快和低电阻的自举二极管
_集成死区时间和击穿保护逻辑 (2ED1322S12M)
_启用、故障和可编程故障清除RFE输入
_VS引脚上的逻辑工作电压：高达-8V
_独立的各通道欠压锁定 (UVLO)
_最大电源电压：25V VCC
_独立逻辑 (VSS) 和输出接地 (COM)
_间隙/爬电距离：大于5mm
_ESD能力：2kV HBM
规范
_VS_OFFSET = 1200V（最大值）
_Io+ / Io- = 2.3A/4.6A（峰值）
_VCC = 13V至20V（典型值）
_传播延迟=500ns（典型值）
_死区时间=380ns（典型值）
应用
_工业驱动器
_泵和风扇电机控制用嵌入式变频器
_商用和轻型商用空调
