TAJC475M050RNJ_TAJC475M050RNJ导读
MOS管在硬件设计中经常使用到，下面是N型MOS管，包括栅极G，源极S，漏级D。
TAJC475M050RNJ_TAJC475M050RNJ
TAJA104M050RNJ
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
TAJC475M050RNJ_TAJC475M050RNJ
TAJD106M035RNJ
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
TAJC475M050RNJ_TAJC475M050RNJ
]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态，Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。
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