TAJB336K010RNJ_TAJB336K010RNJ导读
小功率mos是平面型结构。而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。
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TLJT226M016R1000
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
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TAJB225M020RNJ
0603180R5%_06031M5%_06032.2K5%_0603220R5%_060322K5%_。
0402220K5%_040222R5%_040225.5K1%_0402270R5%_04022K5%_。
TAJA224K050RNJ TAJA224M035RNJ TAJA224M050RNJ TAJA225K006RNJ TAJA225K010RNJ TAJA225K016RNJ TAJA225K020RNJ TAJA225K025RNJ TAJA225K035RNJ TAJA225M006RNJ 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
TAJB336K010RNJ_TAJB336K010RNJ
MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。
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