BYN4224_SH8K5TB导读
这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。
简单来说电机是靠NCE80H12这种MOS管的输出电流来驱动的，输出电流越大（为了防止过流烧坏MOS管，控制器有限流保护），电机扭矩就强，加速就有力，所以MOS管在电动车控制器中起到非常重要的作用。
BYN4224_SH8K5TB
BYS36577A
NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行，较终使扩散运动达到平衡）；。
在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。这样的器件被认为是对称的。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
BYN4224_SH8K5TB
APM4904KC-TRL
。MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。
为了抑止MOSFET的载流才华太小和导通电阻大的难题，在大功率MOSFET中一般选用两种技能，一种是将数百万个小功率MOSFET单胞并联起来，前进MOSFET的载流才华。别的一种技能就是对MOSFET的结构间断改进，选用一种笔直V型槽结构。图3是V型槽MOSFET结构剖面图。
MOSFET的特性能够用搬运特性曲线和漏极输出特性曲线来表征。搬运特性是指在漏源之间的电压UDS在某一固定值时，栅极电压UGS与相对应的漏极电流ID之间的关系曲线。 。图3是某种场效应管的搬运特性。
N沟道增强型MOS管是把一块低掺杂的P型半导体作为衬底，在衬底上面用分散的方法构成两各重掺杂的N＋区，然后在P型半导体上生成很薄的一层二氧化硅绝缘层，然后在两个重掺杂的N+区上端用光刻的方法刻蚀掉二氧化硅层，暴露N+区，较终在两个N+区的外表以及它们之间的二氧化硅外表用蒸腾或者溅射的方法喷涂一层金属膜，这三块金属膜构成了MOS管的三个电极，分别称为源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。
BYN4224_SH8K5TB
NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。
锂电池主要由两大块构成，电芯和锂电池保护板PCM。
相关资讯
