Vishay 的半桥 IGBT 功率模块采用重新设计的 INT-A-PAK 封装。VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 基于 Vishay 的沟槽式 IGBT 技术，为设计人员提供了两种一流技术的选择：低 VCE(ON) 或低 Eoff，以降低交通、能源和工业应用中大电流逆变器级的传导或开关损耗。与其他器件相比，该器件的沟槽式 IGBT 具有更高的节能效果，而其 Gen IV FRED Pt® 反并联二极管则提供超软反向恢复特性。该模块的紧凑型 INT-A-PAK 封装提供更新的栅极引脚方向，现与 34 mm 行业标准封装 100%_兼容，可支持机械直接替换。
特性
+125°C 和额定电流下，集电极-发射极电压低于或等于 1.07 V，为业界低值（GT100TS065S、VS-GT150TS065S 和 VS-GT200TS065S）
减少 TIG 焊机输出级的传导损耗
极低的开关损耗，具有 +125°C 和额定电流下低至 1.0 mJ 的 Eoff（VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N）
高频电源应用的理想选择
650 V 集电极-发射极电压
采用重新设计的 INT-A-PAK 封装
结合 Trench IGBT 与 Gen IV FRED Pt 反并联二极管
连续集电极电流为 100 A 至 200 A
极低的结壳热阻
UL 批准文件 E78996
可直接安装至散热器
低 EMI 降低了缓冲要求
符合 RoHS 规范
应用
电源逆变器
铁路设备
发电
分配
存储系统
焊接设备
电机驱动
机器人技术
