onsemi M3S EliteSiC MOSFET 针对快速开关应用优化了性能，最大限度地提高了效率并最大限度地减少了能量损失。这些 1200 V SiC MOSFET 可以防止雷暴，即使在最苛刻的环境中也能提供坚定的稳定性和控制力。M3S EliteSiC 在 -10 V 栅极偏置下无缝运行，确保可靠的性能和平稳的开关周期。其优化的设计和低开关损耗转化为无与伦比的效率，节省能源并降低冷却要求。这些 MOSFET 通过 18 V 栅极驱动提供最佳性能，但也可以在 15 V 电压下完美工作，无缝适应现有系统。M3S EliteSiC 代表了 SiC 技术的前沿，确保用户的设计满足未来的需求。
特性
具有开尔文源极配置的 D2PAK-7L 封装
优秀的 FOM (= RDS(ON) *_EOSS)
超低栅极电荷 (QG(TOT) = 107 nC)
低电容高速开关 (COSS = 106 pF)
15 V 至 18 V 栅极驱动
M3S 技术：29 mΩ RDS(ON)，低 EON 和 EOFF 损耗
100%_通过雪崩测试
无卤素且符合 RoHS 规范
应用
工业应用
