IXGK50N60B2D供应商库存(更新时间:2024-05-06 19:02)
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80000
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2022
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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6500
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深圳市惊羽科技有限公司
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IXYS-艾赛斯
6328
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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9000
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瀚佳科技(深圳)有限公司
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2050
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深圳市特顺芯科技有限公司
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IXYS
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12300
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深圳市创新迹电子有限公司
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25000
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司
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深圳市科雨电子有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市艾宇欣科技有限公司
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深圳市易讯博科技有限公司
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深圳廊盛科技有限公司
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深圳市科雨电子有限公司
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IXGK50N60B2D参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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