您好,欢迎来到97ic电子库存网!收藏本站
您所在的位置:首页行业新闻IXFK80N60P3

IXFK80N60P3

来源: 深圳市毅创辉电子科技有限公司 发布时间:2022-06-02

公司名: 深圳市毅创辉电子科技有限公司

联系人:刘春兰

微信:19129491434

手机:19129491434

电话:0755-83267817

传真:0755-83267787

地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

摘要:进口代理
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 190 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 kW
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 90 S, 55 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
系列: IXFK80N60
25
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 10 g

该公司相关新闻