您好,欢迎来到97ic电子库存网!收藏本站
您所在的位置:首页型号索引第11427页IXGK50N60BD1

IXGK50N60BD1供应商库存(更新时间:2024-04-29 18:52)

IXGK50N60BD1参数规格

功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IXGK50N60BD1价格

参考价格:0.0000

型号:IXGK50N60BD1 品牌:IXYS 说明:IXGK50N60BD1多少钱,2024年最近一个月行情走势,IXGK50N60BD1批发/采购报价,IXGK50N60BD1行情走势销售排行榜,IXGK50N60BD1报价。

IXGK50N60BD1相关型号

IXGK50N60BD1相关品牌

IXGK50N60BD1相关新闻

IXYH24N170CV1

IXYH24N170CV1

发布时间:2023-05-24

IXGF20N300

IXGF20N300

发布时间:2022-11-24

IXFN48N50

IXFN48N50

发布时间:2022-08-23

IXFK80N60P3

进口代理

发布时间:2022-06-02

IXTH80N20L

IXTH80N20L,通孔N通道200V80A(Tc)520W(Tc)TO-247(IXTH)

发布时间:2022-05-17

IXTA86N20X4功率 MOSFET

具有雪崩额定值并具有卓越的dV/dt性能

发布时间:2021-11-15