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IXTA86N20X4功率 MOSFET

来源: 深圳市鑫远鹏科技有限公司 发布时间:2021-11-15

公司名: 深圳市鑫远鹏科技有限公司

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摘要:具有雪崩额定值并具有卓越的 dV/dt 性能
功率 MOSFET 采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可显著降低电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (QG)。低导通电阻可降低传导损耗,还可降低输出电容中存储的能量,从而最大限度地降低开关损耗。低栅极电荷可在轻负载下提高效率,并有助于降低栅极驱动要求。此外,这些 MOSFET 具有雪崩功能,并拥有出色的 dv/dt 性能。其导通电阻为正温度系数,它们可以并联工作,以满足更高的电流要求。

应用
开关电源中的同步整流
电机控制(48 V 至 80 V 系统)
DC/DC 转换器
不间断电源
电动叉车
D 类音频放大器
电信系统
特性
低导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (QG)
dv/dt 稳健性
雪崩耐量
国际标准封装
IXTH94N20X4, IXTP86N20X4, IXTT220N20X4HV,IXTH220N20X4,IXTP94N20X4。