IXGK50N60C2D1供应商库存(更新时间:2024-09-21 09:01)
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深圳市永贝尔科技有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS
19960
NA
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深圳兆威电子有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS/艾赛斯
90000
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瀚佳科技(深圳)有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS
9000
TO264 (IXGK)
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原厂渠道,现货配单
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深圳市惊羽科技有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS-艾赛斯
6328
TO-264
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易创佳业科技(深圳)有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS/艾赛斯
6000
TO-264
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原装正品,支持实单
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS
12300
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深圳市一线半导体有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS
8866
TO-264
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深圳市兴灿科技有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS
560
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深圳市兴灿科技有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS
560
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深圳市创新迹电子有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS/艾赛斯
25000
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只做原装进口现货,专注配单
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS
13880
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深圳市国宇半导体科技有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS/艾赛斯
10000
TO-264
23+
公司只做原装正品
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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IXGK50N60C2D1
IXYS
9000
TO264 (IXGK)
22+
原厂渠道,现货配单
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深圳市科雨电子有限公司
联系人:周小姐
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IXGK50N60C2D1
IXYS
326
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深圳市科雨电子有限公司
联系人:汪小姐
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IXGK50N60C2D1
IXYS
326
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IXGK50N60C2D1参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.5V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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