IXGH85N30C3供应商库存(更新时间:2024-05-06 19:02)
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IXGH85N30C3
IXYS/艾赛斯
6000
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IXGH85N30C3
IXYS(艾赛斯)
7500
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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IXGH85N30C3
IXYS-艾赛斯
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IXGH85N30C3
IXYS
9000
TO247AD (IXGH)
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IXGH85N30C3
IXYS/艾赛斯
25000
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IXGH85N30C3
IXYS/艾赛斯
10000
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23+
公司只做原装正品
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IXGH85N30C3
IXYS
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IXGH85N30C3
IXYS
9000
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IXGH85N30C3
IXYS
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IXGH85N30C3
IXYS
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IXGH85N30C3
IXYS
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深圳市科雨电子有限公司
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IXGH85N30C3
IXYS
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IXGH85N30C3参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 85 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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