SIHB12N50C-E3供应商库存(更新时间:2024-05-15 16:55)
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SIHB12N50C-E3参数规格
功能描述:MOSFET N-Channel 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIHB12N50C-E3价格
参考价格:15.6671
型号:SIHB12N50C-E3
品牌:Vishay
说明:SIHB12N50C-E3多少钱,2024年最近一个月行情走势,SIHB12N50C-E3批发/采购报价,SIHB12N50C-E3行情走势销售排行榜,SIHB12N50C-E3报价。
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