摘要：Vishay 的 80 V、100 V 和 150 V MOSFET 具有极低的 RDS 至 Qg FOM
第五代功率 MOSFET 可为隔离式和非隔离式拓扑提供更高的功率密度和效率。超低导通电阻、高达 +175°C 的工作温度以及 Vishay 节省空间的 PowerPAK® 封装有助于通过键合无引线结构提高板级可靠性。该系列经过 100%_RG 和 UIS 测试，符合 RoHS 标准且不含卤素。
特性
极低的 RDS - Qg FOM
经过调节可实现非常低的 RDS - QOSS FOM
应用
同步整流
初级侧开关
DC/DC 转换器
太阳能微型逆变器
电机驱动开关
电池和负载开关
工业电机驱动
电池充电器
