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SIA907EDJT-T1-GE3

来源: 深圳市毅创辉电子科技有限公司 发布时间:2023-04-03

公司名: 深圳市毅创辉电子科技有限公司

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

摘要:进口代理
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-6
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 4.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 47 mOhms, 47 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V
Qg-栅极电荷: 23 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 7.8 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET, PowerPAK
系列: SIA
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 10 ns, 10 ns
正向跨导 - 最小值: 11 S, 11 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns, 15 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 P-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间: 13 ns, 13 ns
零件号别名: SIA907EDJT-GE3
单位重量: 28 mg

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