TAJC477M002RNJ_TAJC477M002RNJ导读
。MOS管的结构与分类,场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。
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TAJV336K035RNJ
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。
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TAJB155M050RNJ
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
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NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。
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