TAJC336K025RNJ

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所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。



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TAJD226M016RNJ
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

对于P型MOS管，若S的电压比G处高（G、S间存在压差，具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会导通（电压方向S指向D），此时D、S间相当于一个很小的电阻，若G、S之间为低（具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会截止 ，此时D、S间相当于一个很大的电阻，电流就无法流过。

IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。 IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。



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TLJT157M006R1200
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

先讲讲MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。

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NCE20ND06 NCE2008N NCE2312 NCE2312A NCE8205A 。



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