BSM200GA170DN供应商库存(更新时间:2025-12-26 23:01)
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BSM200GA170DN2
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深圳市创盛芯科技有限公司
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3000
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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Infineon(英飞凌)
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深圳市恒达亿科技有限公司
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全新原装、诚信经营、公司现货销售
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深圳市赛美科科技有限公司
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西门子
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万三科技(深圳)有限公司
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BSM200GA170DN2
Infineon(英飞凌)
500000
封装
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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深圳市柯尔基电子有限公司
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深圳市亿智腾科技有限公司
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主营模块
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BSM200GA170DN参数规格
功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 290A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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