制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 1.5 A, 1.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 108 mOhms, 102 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 950 mV, 900 mV
Qg-栅极电荷: 73 pC, 3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 1.4 ns, 14 ns
正向跨导 - 最小值: 4 S, 4.5 S
高度: 1.1 mm
长度: 3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.6 ns, 9.7 ns
系列: BSL215
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 6.8 ns, 14.5 ns
典型接通延迟时间: 4.1 ns, 6.7 ns
宽度: 1.5 mm
零件号别名: SP001101000 BSL215CH6327XTSA1
单位重量: 20 mg
