STG3P2M10N60B供应商库存(更新时间:2024-05-01 17:08)
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深圳市惊羽科技有限公司
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ST
23
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万三科技(深圳)有限公司
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STM(STMicroelectronics)
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万三科技,秉承原装,购芯无忧
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深圳市创新迹电子有限公司
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STG3P2M10N60B
STMicroelectronics
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IGBTN-CHAN600V19ASEMITOP
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STG3P2M10N60B
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STMicroelectronics
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全新原装正品现货直销
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STG3P2M10N60B
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深圳市易讯博科技有限公司
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STG3P2M10N60B
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STMicroelectronics
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司
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STG3P2M10N60B
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STG3P2M10N60B参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 1Phase Bridg Rctifir 3 phase invertr IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
STG3P2M10N60B价格
参考价格:277.1714
型号:STG3P2M10N60B
品牌:STMicroelectronics
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