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STG3P2M10N60B供应商库存(更新时间:2024-05-01 17:08)

STG3P2M10N60B参数规格

功能描述:IGBT 晶体管 1Phase Bridg Rctifir 3 phase invertr IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

STG3P2M10N60B价格

参考价格:277.1714

型号:STG3P2M10N60B 品牌:STMicroelectronics 说明:STG3P2M10N60B多少钱,2024年最近一个月行情走势,STG3P2M10N60B批发/采购报价,STG3P2M10N60B行情走势销售排行榜,STG3P2M10N60B报价。

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