STGAP2SiCS 是采用 BCD6s 技术制造的高压（最高 1200 V）栅极驱动器。它包含在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间的 6 kV 电隔离中。它以紧凑的封装形式包含在 6 kV 电隔离系列中。器件的输出可吸收和提供最高 4 A 的电流。通过互锁功能可防止交叉传导。该器件具有用于每个输出的专用输入引脚。逻辑输入与 CMOS/TTL 兼容，最低 3.3 V，便于与控制设备连接。低侧和高侧部分之间的匹配延迟可确保无周期失真并允许高频操作。STGAP2SiCS 有两种不同的配置。具有独立输出引脚的配置允许通过使用专用栅极电阻器来独立优化导通和关断性能。此配置具有单输出引脚和米勒箝位功能，可避免半桥拓扑中快速换向期间的栅极尖峰。
特性
高电源电压
匹配的传播延迟上升和下降
SO-8W
待机
专用 SiC 驱动器
优势
降低大功率应用中的电流，提高效率（损耗随 I2 变化）、稳定性
避免交叉损耗，无周期失真，高频运行
主板面积、可靠性和 BOM 成本
必要时可降低功耗
由于使用 SiC MOSFET，效率更高
STGAP2SICSC， EVALSTGAP2SICS， EVALSTGAP2SICSC。
