制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:165 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:3 VVgs - 栅极-源极电压:30 VQg-栅极电荷:60 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:35 W配置:Single商标名:MDmesh封装:Tube系列:STF26NM60N晶体管类型:1 N-Channel商标:STMicroelectronics下降时间:50 ns产品类型:MOSFET上升时间:25 ns工厂包装数量:1000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:85 ns典型接通延迟时间:13 ns单位重量:330 mg
