您好,欢迎来到97ic电子库存网!收藏本站
您所在的位置:首页型号索引第16777页STD50NH02L-1

STD50NH02L-1供应商库存(更新时间:2024-04-27 20:00)

STD50NH02L-1参数规格

功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:STripFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

STD50NH02L-1相关型号

STD50NH02L-1相关品牌

STD50NH02L-1相关新闻

STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET

STD80N450K6800V10AMDmeshK6功率MOSFET

发布时间:2024-01-06

STD95N4LF3

STD95N4LF3

发布时间:2023-04-10

STD36P4LLF6

进口代理

发布时间:2022-12-03

STDP2650ADT

STDP2650ADT

发布时间:2022-11-15

STD45P4LLF6AG

原装正品现货

发布时间:2022-05-19

STD36P4LLF6

製造商:STMicroelectronics 產品類型:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝/外殼:TO-252-3 晶體管極性:P-Channel 通道數:1Channel Vds-漏-源擊穿電壓:40V Id-C連續漏極電流:36A RdsOn-漏-源電阻:17.5mOhms Vgs-閘極-源極電壓:-20V,+20V Vgsth-門源門限電壓:2.5

发布时间:2021-06-09