制造商 STMicroelectronics
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 15 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 65.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3525 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 58W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63