STD35NF06LT4MOS(场效应管)供应商库存(更新时间:2025-04-28 14:09)
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深圳市威尔健半导体有限公司
联系人:何妮妮
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STD35NF06LT4MOS(场效应管)
ST/意法
75
TO-252
23+
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询价
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深圳市湘达电子科技有限公司
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STD35NF06LT4MOS(场效应管)
ST/意法
8000
DPAK(TO-252)
2022+
只做原装支持实单,有单必成。
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询价
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深圳市安富世纪电子有限公司
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地址:深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17e
STD35NF06LT4MOS(场效应管)
ST/意法
50000
TO-252
23+
全新原装正品现货,支持订货
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询价
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深圳市威尔健半导体有限公司
联系人:苏经理
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地址:深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17e
STD35NF06LT4MOS(场效应管)
ST/意法
50000
TO-252
23+
全新原装正品现货,支持订货
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询价
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深圳市希黎电子有限公司
联系人:林钟豪
电话:13425100529
手机:13425100529
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地址:深圳市福田区华强北街道深纺大厦B座806-38B
STD35NF06LT4MOS(场效应管)
ST/意法半导体
94311
N
24+
全新原装正品
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STD25NF10LA
发布时间:2023-02-23
全新原装现货支持第三方机构验证
发布时间:2022-06-07
製造商:STMicroelectronics
產品類型:MOSFET
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝/外殼:TO-252-3
晶體管極性:P-Channel
通道數:1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓:40V
Id-C連續漏極電流:36A
RdsOn-漏-源電阻:17.5mOhms
Vgs-閘極-源極電壓:-20V,+20V
Vgsth-門源門限電壓:2.5
发布时间:2021-06-09
製造商:STMicroelectronics
產品類型:MOSFET
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝/外殼:TO-252-3
晶體管極性:N-Channel
通道數:1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓:100V
Id-C連續漏極電流:25A
RdsOn-漏-源電阻:35mOhms
Vgs-閘極-源極電壓:-20V,+20V
Vgsth-門源門限電壓:4.5V
发布时间:2021-06-09