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STD25N10F7

来源: 深圳市瑞冠伟业科技有限公司 发布时间:2021-06-09

公司名: 深圳市瑞冠伟业科技有限公司

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摘要:製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TO-252-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V Id - C連續漏極電流: 25 A Rds On - 漏-源電阻: 35 mOhms Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V Vgs th - 門源門限電壓 : 4.5 V
製造商: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 25 A
Rds On - 漏-源電阻: 35 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4.5 V
Qg - 閘極充電: 14 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 40 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: STripFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: STD25N10F7
晶體管類型: 1 N-Channel
品牌: STMicroelectronics
下降時間: 4.6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 14 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 14.8 ns
標準開啟延遲時間: 9.8 ns
每件重量: 330 mg

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