STD2NB80T4供应商库存(更新时间:2025-08-07 09:25)
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STD2NB80T4
ST/意法
880000
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24+
明嘉莱只做原装正品现货
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STD2NB80T4
ST
6200
TO-252
17+
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STD2NB80T4
ST
2600
SOT252
04+
全新原装进口自己库存优势
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STD2NB80T4
ST
20000
SOT252
23+
全新原装假一赔十
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STD2NB80T4
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9988
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只做原装进口,自己库存
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司
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STD2NB80T4
ST
2800
TO-252
24+
原装现货!可长期供货!
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询价
STD2NB80T4参数规格
功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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製造商: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Id - C連續漏極電流: 36 A
Rds On - 漏-源電阻: 17.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5
发布时间:2021-06-09
製造商: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 25 A
Rds On - 漏-源電阻: 35 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4.5 V
发布时间:2021-06-09