STD2HNK60Z-1MOS(场效应管)供应商库存(更新时间:2025-07-04 16:20)
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深圳市创新迹电子有限公司
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STD2HNK60Z-1MOS(场效应管)
ST/意法
9000
IPAK
2021+
原装现货,随时欢迎询价
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STD2HNK60Z-1MOS(场效应管)
ST/意法
20000
IPAK
22+
深圳原装现货正品有单价格可谈
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深圳市威尔健半导体有限公司
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STD2HNK60Z-1MOS(场效应管)
ST/意法
20
IPAK
23+
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深圳市博中泰实业有限公司
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STD2HNK60Z-1MOS(场效应管)
ST/意法
60000
TO-251
24+
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深圳市安富世纪电子有限公司
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STD2HNK60Z-1MOS(场效应管)
ST/意法
50000
TO-251
23+
全新原装正品现货,支持订货
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深圳市威尔健半导体有限公司
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地址:深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17e
STD2HNK60Z-1MOS(场效应管)
ST/意法
50000
TO-251
23+
全新原装正品现货,支持订货
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STD25NF10LA
发布时间:2023-02-23
全新原装现货支持第三方机构验证
发布时间:2022-06-07
製造商:STMicroelectronics
產品類型:MOSFET
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝/外殼:TO-252-3
晶體管極性:P-Channel
通道數:1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓:40V
Id-C連續漏極電流:36A
RdsOn-漏-源電阻:17.5mOhms
Vgs-閘極-源極電壓:-20V,+20V
Vgsth-門源門限電壓:2.5
发布时间:2021-06-09
製造商:STMicroelectronics
產品類型:MOSFET
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝/外殼:TO-252-3
晶體管極性:N-Channel
通道數:1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓:100V
Id-C連續漏極電流:25A
RdsOn-漏-源電阻:35mOhms
Vgs-閘極-源極電壓:-20V,+20V
Vgsth-門源門限電壓:4.5V
发布时间:2021-06-09