SQD50N03-09-GE3供应商库存(更新时间:2025-05-05 22:30)
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深圳市惊羽科技有限公司
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司
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原装现货假一赔十
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深圳市中福国际管理有限公司
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VBsemi/台湾微碧
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TO-252
20+
进口原装现货,假一赔十
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京海半导体(深圳)有限公司
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原装现货假一罚十
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SQD50N03-09-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 30V 62A 7.1W 10mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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