SQD50N10-8M9L_GE3 全新原装正品 现货

SQD50N10-8M9L_GE3
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 46 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 120 ns
正向跨导 - 最小值: 67 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
系列: SQ
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 95 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 330 mg


TLE8209-2SA
PIC16LF1939-I/PT
SQJ459EP-T1_GE3
BQ76200PWR
PESD2IVN24-TR
DRV8301DCAR
NTTFS5820NLTAG
S912ZVML31F1WKF