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SQJ479EP-T1-GE3 全新原装现货

来源: 深圳市瑞冠伟业科技有限公司 发布时间:2022-12-05

公司名: 深圳市瑞冠伟业科技有限公司

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摘要:SQJ479EP-T1-GE3
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-SO-8-4
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 80 V
Id - C連續漏極電流: 32 A
Rds On - 漏-源電阻: 33 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V
Qg - 閘極充電: 90 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 68 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
公司名稱: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
系列: SQ
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 50 ns
標準開啟延遲時間: 15 ns
零件號別名: SQJ479EP-T1_BE3
每件重量: 506.600 mg

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