SIHG33N60E供应商库存(更新时间:2024-05-13 18:11)
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市宝芯创电子有限公司
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易创佳业科技(深圳)有限公司
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深圳市振鑫微电子科技有限公司
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深圳市惊羽科技有限公司
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深圳市向鸿伟业电子有限公司
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深圳市芯祺盛科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市国宇半导体科技有限公司
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中科国际电子(深圳)有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市百视威讯电子科技有限公司
联系人:董先生
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地址:深圳市福田区滨河大道南园街道南三栋1202
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深圳市威尔健半导体有限公司
联系人:何妮妮
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京海半导体(深圳)有限公司
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SIHG33N60E
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SIHG33N60E参数规格
功能描述:MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIHG33N60E-GE3价格
参考价格:21.5373
型号:SIHG33N60E-GE3
品牌:Vishay
说明:SIHG33N60E-GE3多少钱,2024年最近一个月行情走势,SIHG33N60E-GE3批发/采购报价,SIHG33N60E-GE3行情走势销售排行榜,SIHG33N60E-GE3报价。
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