SIHB30N60E-GE3供应商库存(更新时间:2024-05-21 22:49)
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中天科工半导体(深圳)有限公司
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深圳市惊羽科技有限公司
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SIHB30N60E-GE3
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SIHB30N60E-GE3
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SIHB30N60E-GE3
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深圳市科雨电子有限公司
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SIHB30N60E-GE3
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深圳市百视威讯电子科技有限公司
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SIHB30N60E-GE3
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深圳市恒意法电子有限公司
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SIHB30N60E-GE3
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SIHB30N60E-GE3
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深圳市科雨电子有限公司
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SIHB30N60E-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIHB30N60E-GE3价格
参考价格:19.6466
型号:SIHB30N60E-GE3
品牌:Vishay
说明:SIHB30N60E-GE3多少钱,2024年最近一个月行情走势,SIHB30N60E-GE3批发/采购报价,SIHB30N60E-GE3行情走势销售排行榜,SIHB30N60E-GE3报价。
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