SI9936BDY-T1-GE3供应商库存(更新时间:2024-05-12 11:36)
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深圳市百视威讯电子科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市佳杰伟业科技有限公司
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SI9936BDY-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9936BDY-T1-GE3价格
参考价格:4.0457
型号:SI9936BDY-T1-GE3
品牌:Vishay
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