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深圳市金芯世纪电子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市千科宇科技有限公司
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正规渠道原装正品
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深圳廊盛科技有限公司
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原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
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深圳市惊羽科技有限公司
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深圳市惊羽科技有限公司
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地址:深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室
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深圳市华来深电子有限公司
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深圳市恒诺芯科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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天津市博通航睿技术有限公司
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深圳市仟禧电子有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市特莱科技有限公司
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深圳市科雨电子有限公司
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深圳市科雨电子有限公司
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SI9934BDY-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 12V 6.4A 2.0W 35mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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