SI7784DP供应商库存(更新时间:2025-09-10 18:25)
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深圳市中联芯电子有限公司
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深圳市诺美思科技有限公司
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原装进口公司现货假一赔百
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司
联系人:王先生/綦先生【原装正品】
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原装正品,假一罚十
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海芯未来半导体电子(深圳)有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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全新原装正品现货,支持订货
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SI7784DP参数规格
功能描述:MOSFET 30V 35A 27.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7784DP-T1-GE3价格
参考价格:2.6711
型号:SI7784DP-T1-GE3
品牌:Vishay
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