SI7794DP-T1-GE3供应商库存(更新时间:2024-05-24 17:51)
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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天津市博通航睿技术有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市百视威讯电子科技有限公司
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SI7794DP-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 30 Volts 60 Amps 48 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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SI7454DDP-T1-GE3
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发布时间:2021-10-18